Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных мар­ган­цем

  • П. Д. Марьянчук Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • Л. Н. Дымко Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • Т. Р. Романишин Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • T. T. Ковалюк Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • B. B. Бруc Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • M. H. Со­ло­ван Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • А. И. Мостовой Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2014.2-3.54
Ключові слова: кристалл, магнитная восприимчивость, кластер, электропроводность

Анотація

В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оп­ти­чес­кие переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет по­лу­про­вод­ни­ко­вый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о сме­шан­ном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кри­с­тал­лах кластеров типа Mn–Тe–Mn–Тe, в которых между атомами Mn через атомы ха­ль­ко­ге­на осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного ха­рак­те­ра. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 1020 см–3.

Посилання

Furdyna J.K. Diluted magnetic semiconductors. J. Appl. Phys., no 64(4), 1988, pp. 29-64.

Marianchuk P.D. Koziarskyi D.P., Maistruk E.V., Dymko L.M., Koziarskyi I.P. [Physical phenomena in crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, (3HgSe)1–x(Al2Te3)x, (3HgS)1–x(Al2Te3)x, doped by manganese]. Novi tekhnologiyi, vol. 19, no 1, 2008, pp. 45-51. (Ukr)

Maryanchuk P.D., Maistruk E. V. Giant magnetoresistance in Hg1–x–yMnxFeyTe crystals. Russian Physics Journal, 2007, vol. 50, no 10, pp. 985-992. https://doi.org/10.1007/s11182-007-0143-z

Tverdye rastvory v poluprovodnikovykh sistemakh: Spravochnik [Solid solutions in semiconductor systems. Handbook]. Moskow, Nauka, 1978, 188 p. (Rus)

Koziarskyi I.P., Marianchuk P.D., Maistruk E.V. Optical properties of (3HgSe)0.5(In2Se3) 0.5 crystals doped with Mn or Fe. Ukr. J. Phys. Opt., 2011, no 3, vol. 12, pp. 137-142.

Maryanchuk P.D., Maistruk E.V. Effect of heat treatment in sulfur and mercury vapors on the magnetic susceptibility of Hg1–xMnxTe1–ySy. Inorganic Materials, 2008, no 44(5), pp. 475-480. https://doi.org/10.1134/S0020168508050087

Kovalyuk T.T., Maistruk E.V., Maryanchuk P.D. Magnetic, optical, and kinetic properties of Hg1–x–yMnxDyyTe crystals. Inorganic Materials, 2013, vol. 49, no 5, pp.445-449. https://doi.org/10.1134/S0020168513050051

Uhanov Yu.I. [Optical properties of semiconductors], Moscow, Nauka, 1977, 368 p. (Rus)

Maryanchuk P. D., Gavaleshko N.P. Effect of temperature on the band structure of MnxHg1–xSe. Soviet Physics Journal, 1991, vol. 34, no 4, pp. 312-315. https://doi.org/10.1007/BF00898093.

Tsydylkovskiy I.M. Elektrony i dyrki v poluprovodnikakh [Electrons and holes in semiconductors]. Moscow, Nauka, 1972, рр . 472. (Rus)

Askerov B.M. Elektronnye yavleniya perenosa v poluprovodnikakh [Electron transport phenomena in semiconductors]. Moscow, Nauka, 1985, рр . 320. (Rus)

Dietl T., Jędrzejczak A. Temperature dependence of the band structure parameters in HgSe from thermomagnetic measurements. Phys. Stat. Sol. (b), 1975, vol. 71, K39-K44.

Опубліковано
2014-06-23
Як цитувати
Марьянчук, П. Д., Дымко, Л. Н., Романишин, Т. Р., КовалюкT. T., БруcB. B., Со­ло­ванM. H., & Мостовой, А. И. (2014). Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных мар­ган­цем. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2–3), 54-60. https://doi.org/10.15222/TKEA2014.2-3.54
Номер
№ 2–3 (2014): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2014 Марьянчук П. Д., Дымко Л. Н., Романишин Т. Р., Ковалюк Т. Т., Брус В. В., Со­ло­ван М. Н., Мостовой А. И.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.