Two-channel microwave power switch construction on the basis of electrically active semiconductor structures

Ю. Н. Лаврич; C. B. Плаксин; В. Я. Крысь; Л. М. Погорелая; И. И. Со­ко­лов­ский

doi:10.15222/TKEA2014.2-3.24

Ю. Н. Лаврич Институт транспортных систем и технологий НАН Украины, Днепр, Украина
C. B. Плаксин Институт транспортных систем и технологий НАН Украины, Днепр, Украина
В. Я. Крысь Институт транспортных систем и технологий НАН Украины, Днепр, Украина
Л. М. Погорелая Институт транспортных систем и технологий НАН Украины, Днепр, Украина
И. И. Соколовский Институт транспортных систем и технологий НАН Украины, Днепр, Украина

DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2014.2-3.24

Ключові слова: отрицательная дифференциальная проводимость, коммутация, модуляция, СВЧ-мощность

Анотація

Разработан быстродействующий двухканальный переключатель СВЧ-мощности в трехсантиметровом диапазоне длин волн с использованием двух объемных полупроводниковых структур с отрицательной дифференциальной проводимостью, обладающих вольт-амперными характеристиками N- и S-образной формы. Эти структуры реализуют соответственно функции амплитудного модулятора мощности на диоде Ганна и коммутатора на диоде из халькогенидного стеклообразного полупроводника.

Посилання

Rebeiz G.M., Uzunkol M. A low-loss 50–70 GHz SPDT switch in 90 nm CMOS. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2010, vol. 45, nо 10, рр. 2003–2007.

Plaksin S.V., Sokolovskiy I.I., Pogorelaya L.M. The synthesis of a fast-acting information-control system on the base of hot-electron devices. Telecommunications and Radio Engineering, 2006, vol. 65, no 8, pp. 741–756.

Lebedev E. A., Tsendin K.D. Phase transitions occurring in glassy chalcogenide semiconductors induced by electric field or laser pulses, Semiconductors, 1998, vol. 32, iss. 8, pp. 838–842.

Isayev A.I., Mekhtieva S.I., Garibova S.N., Zeynalov V.Z. Conductivity of Se95As5 chalcogenide glassy semiconductor layers containing the EuF3 rare-earth impurity in high electric fields, Semiconductors, 2012, vol. 46, iss. 9, pp. 1114–1118.

Plaksin S.V., Sokolovskii I.I. Fizicheskie osnovy postroeniya bystrodeistvuyushchikh informatsionno-upravlyayushchikh sistem na baze poluprovodnikov s goryachimi elektronami [The physical foundation of construction of the fast-acting informative-control systems based on semiconductors with hot electrons] Sevastopol, Veber, 2006, 320 p. (Rus)

Belova I.F., Divakova E.K., Lebedev E.I. [About one variant of p-i-n-diode inclusion into the waveguide] Radiotekhnika, 1974, vol. 29, no 8, pp. 114–117 (Rus)

Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур

Анотація

Посилання

Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур