Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов

  • А. А. Голишников НПК "Технологический центр", Москва, Россия
  • М. Г. Путря НИУ «МИЭТ», Москва, Россия
DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2014.1.36
Ключові слова: процесс глубокого травления кремния, сквозные отверстия в кремнии, TSV, источник трансформаторно-связанной плазмы, технология трехмерной интеграции кристаллов

Анотація

Исследованы зависимости технологических характеристик процесса глубокого травления кре­м­ния от его операционных параметров. Разработан и оптимизирован процесс глубокого пла­з­ме­н­но­го травления кре­м­ния для создания сквозных отверстий с управляемым профилем.

Посилання

Topol A., La Tulipe D. C., Shi Jr. et al. 3D integrated circuits. IBM Journal of Research and Development, 2006, vol. 50, no 4/5, pp. 491-506.

Nano- i mikrosistemnaya tekhnika. Ot issledovanii k razrabotkam. Ed. by P.P. Mal'tsev, Moskow, Tekhnosfera, 2005.

Motoyoshi M. Through-silicon via (TSV). Proc. IEEE, 2009, vol. 97, no 1, pp. 43-48.

Wu X., Zhao W., Nakamoto M. et al. Electrical characterization for intertier connections and timing analysis for 3-D ICs. IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst, 2012, vol. 20, no 1, pp. 186-191.

Jang D. M., Ryu C., Lee K. Y. et al. Development and evaluation of 3D SiP with vertically interconnected through silicon vias (TSV). Proc. of the Fifty-Seventh Electronic Components and Technology Conference, 2007, pp. 847-852.

Опубліковано
2014-02-25
Як цитувати
Голишников, А. А., & Путря, М. Г. (2014). Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 36-41. https://doi.org/10.15222/TKEA2014.1.36
Номер
№ 1 (2014): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2014 Голишников А. А., Путря М. Г.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.