Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F
Анотація
Предложена методика построения и расчета выходной нагрузочной цепи для усилителя мощности класса F с добавлением третьей гармоники напряжения, которая позволяет скомпенсировать негативное влияние паразитных элементов транзистора на стоковый КПД усилителя. Такая цепь позволяет оптимизировать стоковый КПД усилителя с помощью независимой настройки импедансов на первой и третьей гармониках. Представлены результаты моделирования и экспериментального исследования энергетических характеристик такого усилителя на арсенид-галлиевом полевом транзисторе CLY15, рассчитанного на рабочую частоту 400 МГц.
Посилання
Krizhanovski V.G., Yefimovych A.P. [Effect of losses in resonant circuits on the amplifier class F] Radiotekhnika: vseukr. mezhved. nauch.-tekhn. sb. KhNURE, 2012, no 170, pp. 59-65.
Yefymovych A.P., Krizhanovski V.G. The methods of compensating parasitic elements of the transistor in class-F amplifier at the microwave range. Procced. of the 23th International Crimean Conf. «CriMiCo 2013», Ukraine, Sevastopol, 2013, pp. 98-99.
Kim J., Jo G., Oh J., Kim Y., Lee K., Jong J. Modeling and design methodology of high-efficiency class-F and class-F-1 power amplifiers. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2011, vol. 59, no 1, pp. 153-165.
Moon J., Jee S., Kim J., Kim B. Behaviors of сlass-F and class-F-1 amplifiers. IEEE Transactions on Microwave Theory and Tecniques, 2012, vol. 60, no 6, pp. 1937-1951.
Woo Y., Yang Y., Kim B. Analysis and experiments for high-efficiency class-F and iverse сlass-F power amplifiers. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2006, vol. 54, no 5, pp. 1969-1974.
Grebennikov A.V. Circuit design technique for high efficiency сlass F amplifiers. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, USA, Boston, 2000, vol. 2, pp. 771-774.
Grebennikov A.V. Load network design technique for class F and inverse class F power amplifiers. High Frequency Electronics, 2011, vol. 10, no 5, pp. 58-76.
Kenle C., Dimitrios P. Design of broadband highly efficient harmonic-tuned power amplifier using in-band continuous class-F1/F mode transferring. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2012, vol. 60, no 12, pp. 4107-4116.
Raab F. H. Maximum efficiency and output of class-F power amplifiers. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2001, vol. 49, no 6, pp. 1162-1166.
Colantonio P., Giannini F., Limiti E. HF сlass F design guidelines. Procced. of the 15th International. Conf. Microwaves «Radar and Wireless Communications», Poland, Warszawa, 2004, vol. 1, pp. 27-38.
Falco S., Raffo A., Vadala V., Vannini G. Lowfrequency waveform engineering technique for class-F microwave power amplifier design. Procced. of the 6th European Microwave Integrated Circuits Conf. (EuMC), UK, Manchester, 2011, pp. 288-291.
Vadala V., Raffo A., Falco S., Bosi G., Nalli A., Vannini G. Load-pull characterization technique accounting for harmonic tuning. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2013, vol. 61, no 7, pp. 2695-2704.
Materka A., Kacprzak T. Computer calculation of large-signal GaAs FET amplifier characteristics. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 1985, vol. 33, no 2, pp. 129-135.
Datasheet archive. http://www.allcomponents.ru.
Fusko V. SVCh tsepi. Analiz i avtomatizirovannoe proektirovanie [Microwave circuit. Analysis and computeraided design] Moskow, Radio i svyaz', 1990.
Kazimierczuk M.K. RF Power Amplifiers, USA, Wiley, 2008.
Авторське право (c) 2014 Ефимович А. П., Крыжановский В. Г.
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
