Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p–i–n Si structures by LPE method

H. M. Вакив; С. И. Круковский; В. Р. Тимчишин; А. П. Васькив

doi:10.15222/TKEA2013.6.41

H. M. Вакив Научно-производственное предприятие «Карат», Львов, Украина
С. И. Круковский Научно-производственное предприятие «Карат», Львов, Украина
В. Р. Тимчишин Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
А. П. Васькив Львовський национальный университет имени Ивана Франко, Львов, Украина

DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2013.6.41

Ключові слова: эпитаксиальный слой, жидкофазная эпитаксия, редкоземельный элемент, легирование

Анотація

Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p–i–n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды.

Посилання

Kharlamov R.V. Razrabotka tekhnologii proizvodstva kremnievykh epitaksial'nykh struktur dlya silovykh priborov. Diss. kand. tekhn. nauk [Development of production technology of silicon epitaxial structures for power devices. Ph.D. tech. diss.] Moskow, 2000. 166 p. (Rus)

Skorobogatov L.A., Zubritskiy S.M., Petrov A.L., Semenov A.L. Tekhnologii materialov dlya mikro- i nanoelektroniki [Materials technology for micro- and nanoelectronics]. Irkutsk State University, 2009. 83 p. (Rus)

Ufimtsev V.B., Achkurin R.Kh. Fiziko-khimicheskie osnovy zhidkofaznoi epitaksii [Physico-chemical principles of liquid-phase epitaxy]. Moskow, Metallurgiya, 1983. (Rus)

Gorelenok A. T., Kamanin A. V., Shmidt N. M. Rareearth elements in the technology of III–V compounds and devices based on these compounds. Semiconductors, 2003, vol. 37, iss. 8, pp. 894-914. https://doi.org/10.1134/1.1601656

Vakiv M.M., Krukovsky S.I., Tymchyshyn V.R. [Lowtemperature liquid-phase epitaxy of p-Si layers in composition of p-i-n Si high-voltage structures] Visnik Natsional'nogo universitetu “L'vivs'ka Politekhnika”, Ser. “Elektronika“, 2011, no. 708, pp. 50-54. (Ukr)

Korolev M.A., Krasyukov A.Yu., Polomoshnov S.A. Sovremennye problemy tekhnologii nanoelektroniki [Modern problems of nanoelectronics technology] Moskow, MIET, 2011. 100 p. (Rus)

Vakiv M.M., Krukovsky S.I., Tymchyshyn V.R. Grafitova kaseta dlya otrimannya dvostoronnikh epitaksiinikh struktur [Graphite cassette for obtaining bilateral epitaxial structures]. Pat. of Ukr no. 73670, 2012. (Ukr)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ

Анотація

Посилання

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ