Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем

  • B. A. Пилипенко Филиал «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • B. A. Горушко Филиал «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • A. H. Петлицкий Филиал «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • B. B. Понарядов Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
  • A. C. Турцевич ОАО «ИНТЕГРАЛ», Минск, Беларусь
  • С. В. Шведов Филиал «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь
Ключові слова: кремний, геттер, лазер, быстродиффундирующая примесь, центр геттерирования, дислокация, дефект упаковки

Анотація

Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность применения геттерирования в современной технологии микроэлектроники. В статье рассмотрены существующие методы геттерирования кремниевых пластин и механизмы их протекания.

Опубліковано
2013-06-14
Як цитувати
ПилипенкоB. A., ГорушкоB. A., ПетлицкийA. H., ПонарядовB. B., ТурцевичA. C., & Шведов, С. В. (2013). Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2–3), 43-57. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.43
Номер
№ 2–3 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2013 Пилипенко В. А., Горушко В. А., Петлицкий А. Н., Понарядов В. В., Турцевич А. С., Шведов С. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.