Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности

  • M. A. Глауберман Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова, Одесса, Украина
  • B. B. Егоров Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова, Одесса, Украина
  • H. A. Канищева Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова, Одесса, Украина
Ключові слова: магнитотранзистор, моделирование, уравнение непрерывности

Анотація

Рассмотрены модели магнитотранзисторов, которые не основываются на решении двумерного уравнения непрерывности для инжектированных носителей. Показано, что несоответствие этих моделей точной теории снимается при достаточно корректном решении одномерного уравнения непрерывности.

Опубліковано
2013-06-14
Як цитувати
ГлауберманM. A., ЕгоровB. B., & КанищеваH. A. (2013). Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2–3), 28-32. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.28
Номер
№ 2–3 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2013 Глауберман М. А., Егоров В. В., Канищева Н. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.