Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe

  • А. И. Мостовой Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • B. B. Брус Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
  • П. Д. Марьянчук Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • K. C. Ульяницкий Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
Ключові слова: гетеропереход, тонкая пленка, легирование, TiO2, CdTe

Анотація

Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки ТiО2:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода.

Опубліковано
2013-02-18
Як цитувати
Мостовой, А. И., БрусB. B., Марьянчук, П. Д., & УльяницкийK. C. (2013). Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 45-48. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.45
Номер
№ 1 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2013 Мостовой А. И., Брус В. В., Марьянчук П. Д., Ульяницкий К. С.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.