Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

  • З. Ф. Томашик Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • И. Б. Стратийчук Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. Н. Томашик Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • С. И. Будзуляк Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • И. И. Гнатив Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. К. Комар Институт монокристаллов НАНУ, Харків, Україна
  • Н. Г. Дубина Институт монокристаллов НАНУ, Харків, Україна
  • А. П. Лоцько Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Д. В. Корбутяк Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Л. А. Демчина Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Н. Д. Вахняк Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: детектор ионизирующего излучения, полупроводник, химическое травление, химико-динамическое полирование, химико-механическое полирование

Анотація

Разработан способ изготовления рабочего элемента Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения с высокой чувствительностью к низкоэнергетическому γ-излучению радиоактивного изотопа америция 241Am. Предложенная методика двухэтапной химической обработки поверхности с использованием новых бромвыделяющих полирующих травителей значительно улучшает качество детекторного материала и способствует увеличению его удельной чувствительности к ионизирующему излучению, а также позволяет использовать меньшие по размеру пластины Cd1–xZnxTe, что приводит к снижению стоимости детекторов.

Опубліковано
2013-02-18
Як цитувати
Томашик, З. Ф., Стратийчук, И. Б., Томашик, В. Н., Будзуляк, С. И., Гнатив, И. И., Комар, В. К., Дубина, Н. Г., Лоцько, А. П., Корбутяк, Д. В., Демчина, Л. А., & Вахняк, Н. Д. (2013). Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 42-44. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.42