Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем

  • В. П. Попов Институт микроприборов НАНУ, Украина, г. Киев, Украина
  • В. П. Сидоренко Институт микроприборов НАНУ, Украина, г. Киев, Украина
Ключові слова: сверхширокополосные (СШП) системы, СШП-радары медицинского назначения, малошумящие усилители, кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe-HBT), резистивные обратные связи

Анотація

Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний-германиевых гетеропереходных биполярных транзисторов (SiGe HBT) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5–10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и системах обеспечения безопасности. Предложенные СШП МШУ выполнены по безындуктивным электрическим схемам или схемам с минимальным числом индуктивностей. Проведено исследование и расчеты двух вариантов СШП МШУ. Диапазон рабочих частот — от 0,5 до 11 ГГц.

Опубліковано
2013-02-18
Як цитувати
Попов, В. П., & Сидоренко, В. П. (2013). Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 13-18. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.13
Номер
№ 1 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2013 Попов В. П., Сидоренко В. П.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.