Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

  • A. C. Турцевич ОАО «ИНТЕГРАЛ», Минск, Беларусь
  • И. И. Рубцевич ОАО «ИНТЕГРАЛ», Минск, Беларусь
  • Я. А. Соловьев ОАО «ИНТЕГРАЛ», Минск, Беларусь
  • O. C. Васьков БНТУ, Минск, Беларусь
  • B. K. Кононенко БНТУ, Минск, Беларусь
  • B. C. Нисс
  • A. Ф. Керенцев ОАО «ИНТЕГРАЛ», Минск, Беларусь
Ключові слова: транзистор, тепловое сопротивление, релаксационный импеданс-спектрометр, посадка кристалла

Анотація

Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления «переход — корпус» транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной новым неразрушающим методом дифференциальной спектроскопии. Представлена зависимость внутреннего теплового сопротивления компонентов транзисторной структуры от постоянной времени тепловой релаксации.

Опубліковано
2012-10-23
Як цитувати
ТурцевичA. C., Рубцевич, И. И., Соловьев, Я. А., ВаськовO. C., КононенкоB. K., НиссB. C., & КеренцевA. Ф. (2012). Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 44-47. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.44
Номер
№ 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2012 Турцевич А. С., Рубцевич И. И., Соловьев Я. А., Васьков О. С., Кононенко В. К., Нисс В. С., Керенце А. Ф.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.