Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-ба­рь­ер­ных УФ-фотоприемников

  • Ю. Н. Бобренко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • B. H. Комащенко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • H. B. Ярошенко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Г. И. Ше­ре­ме­то­ва Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Б. С. Атдаев Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: поверхностно-барьерные структуры, соединения A2B6, УФ-фотоприемник, спектральные характеристики, ВФХ, ВАХ

Анотація

Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных по­верх­ност­но-барьерных структур на основе соединений A2B6 с разным распределением кон­цен­тра­ции носителей в области пространственного заряда, перспективных для ис­поль­зо­ва­ния в качестве ультрафиолетовых фотоприемников.

Опубліковано
2012-10-23
Як цитувати
Бобренко, Ю. Н., КомащенкоB. H., ЯрошенкоH. B., Ше­ре­ме­то­ваГ. И., & Атдаев, Б. С. (2012). Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-ба­рь­ер­ных УФ-фотоприемников. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 35-38. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.35
Номер
№ 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2012 Бобренко Ю. Н., Комащенко В. Н., Ярошенко Н. В., Ше­ре­ме­то­ва Г. И., Атдаев Б. С.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.