Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si

Анотація

Исследован фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной плен­ка­ми нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из n-Si (гетеропереход n-SiC/n-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик ге­те­ро­струк­ту­ры n-SiC/n-Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон.