Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического элек­три­чес­тва

Анотація

Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для по­вы­ше­ния надежности диодов Шоттки необходимо использовать структуры с рас­пре­де­ле­н­ным охранным кольцом, которое представляет собой матрицу ячеек р-типа. Это позволяет снизить напряженность электрического поля в критических зонах активной структуры за счет выравнивания потенциала по периметру охранного кольца и площади диода.