Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом

  • A. A. Дружинин Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • И. П. Островский Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • Ю. Н. Ховерко Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • С. И. Ничкало Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • P. H. Корецкий Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
Ключові слова: нитевидные нанокристаллы, магнетосопротивление, сенсор

Анотація

В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева по­лу­про­вод­ни­ковых приборов в процессе измерения их вольт-амперной характеристики импульсным способом. Проанализировано влияние саморазогрева на электрические параметры по­лу­про­вод­ни­ко­вых приборов. Сформулированы рекомендации по выбору значений параметров из­ме­ри­тель­ной импульсной последовательности, использование которых позволяет ми­ни­ми­зи­ро­вать саморазогрев полупроводниковой структуры.

Опубліковано
2012-10-23
Як цитувати
ДружининA. A., Островский, И. П., Ховерко, Ю. Н., Ничкало, С. И., & КорецкийP. H. (2012). Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 19-21. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.19
Номер
№ 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2012 Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Ничкало С. И., Корецкий Р. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.