Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов

  • В. П. Сидоренко Институт микроприборов НАНУ, Украина, г. Киев, Украина
  • В. Г. Вербицкий Институт микроприборов НАНУ, Украина, г. Киев, Украина
  • Ю. В. Прокофьев Институт микроприборов НАНУ, Украина, г. Киев, Украина
Ключові слова: СБИС, КМОП-технология, микроэлектронный координатно-чувствительный детектор, элементный анализ, усилители-преобразователи, 10-разрядные счетчики

Анотація

Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда величиной 1,6.10–13 Кл. Быстродействие микросхемы в режиме счета составляет не менее 3 МГц, в режиме считывания информации со счетчиков — более 4 МГц, ток потребления — не более 7 мА.

Опубліковано
2012-08-30
Як цитувати
Сидоренко, В. П., Вербицкий, В. Г., & Прокофьев, Ю. В. (2012). Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 39-46. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.39
Номер
№ 4 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2012 Sidorenko V. P., Verbitskii V. G., Prokofiev Yu. V.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.