Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe

Анотація

Исследована динамика поверхностного сопротивления пленок In₂O₃, термически выращенных на подложках InSe в двух кристаллографических плоскостях. Установлено, что их сопротивление существенно меняется лишь в течение первых 5 минут периода окисления. Увеличение времени окисления не влияет на его величину, но приводит к трансформации топологии поверхности. На изображениях атомно-силовой микроскопии обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в виде наноигл. Их латеральные и вертикальные размеры, а также их плотность зависят от температурно-временных факторов.