Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов

  • В. Л. Перевертайло НИИ микроприборов НТК «ИМК» НАН Украины, Украина, г. Киев, Украина
Ключові слова: МОП-дозиметр, технология р-, n-МОП-транзистора, пороговое напряжение, толстый слой оксида, радиационная чувствительность, пассивный режим, дозовая зависимость

Анотація

Определены требования к конструкции и технологии изготовления р-канальных и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения. Разработана технология создания радиационно-чувствительных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида в р-ка­на­ль­ном и в n-канальном варианте.

Опубліковано
2010-12-26
Як цитувати
Перевертайло, В. Л. (2010). Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5–6), 22-29. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.22
Номер
№ 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2010 Перевертайло В. Л.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.