Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов

  • A. H. Лугин ФГУП «НИИЭМП», Пенза, Россия
  • M. M. Оземша ФГУП «НИИЭМП», Пенза, Россия
Ключові слова: контакт, тонкопленочный резистор, плотность тока, мощность рассеяния

Анотація

Показано, что с целью снижения пиковых значений тока и мощности рассеяния в контакте тон­ко­пле­ноч­ного резистора, а значит, и повышения устойчивости резистора к параметрическим и катастрофическим отказам необходимо увеличить толщину резистивного слоя под контактом и в приграничной к контакту зоне резистивного элемента.

Опубліковано
2010-12-26
Як цитувати
ЛугинA. H., & ОземшаM. M. (2010). Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5–6), 11-14. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.11
Номер
№ 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2010 Лугин А.Н., Оземша М. М.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.