Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

  • Н. С. Болтовец Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • B. H, Иванов Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • В. М. Ковтонюк Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • H. C. Раевская Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • A. E. Беляев Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • A. B. Бобыль ФТИ РАН, Санкт-Петербург, Россия
  • P. B. Конакова Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Я. Я. Кудрик Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. В. Миленин Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • C. В. Но­виц­кий Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • B. H. Шеремет Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: катодный контакт, фосфид индия, диод Ганна, омический контакт

Анотація

Исследованы межфазные взаимодействия в контактах Ge–Au, Ge–TiBx и Au–TiBx–Au к n–n+–n++-InP до и после быстрой термической обработки и выходные параметры InP-диодов Ганна (ДГ) с контактной металлизацией Au–TiBx–Au–Ge в диапазоне температуры –40...+60°С. Показано, что омический контакт к слою InP формируется вследствие диффузии атомов Ge и Au вглубь слоя, а выходные параметры ДГ с такими катодными контактами соответствуют параметрам ДГ, полученных по более сложной технологии.

Опубліковано
2010-12-26
Як цитувати
Болтовец, Н. С., ИвановB. H., Ковтонюк, В. М., РаевскаяH. C., БеляевA. E., БобыльA. B., КонаковаP. B., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Но­виц­кийC. В., & ШереметB. H. (2010). Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5–6), 3-6. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.5-6.03
Номер
№ 5–6 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2010 Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Ковтонюк В. М., Раевская Н. С., Беляев А. Е., Бобыль А. В., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Миленин В. В., Но­виц­кий С. В., Шеремет В. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.