Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна

  • Н. М. Вакив НПП «Карат», Львов, Украина
  • С. И. Круковский НПП «Карат», Львов, Украина
  • Д. М. Заячук НПП «Карат», Львов, Украина
  • Ю. С. Михащук НПП «Карат», Львов, Украина
  • Р. С. Круковский Национальный университет «Львовская политехника», Украина
Ключові слова: эпитаксиальный слой, жидкофазная эпитаксия, редкоземельный элемент, изовалентный элемент, ле­ги­ро­вание

Анотація

Показано, что комплексное легирование расплавов индия редкоземельным (Yb) и изо­ва­лен­т­ным (Al) элементами способствует значительному повышению эффективности очистки от фо­но­вых примесей эпитаксиальных слоев InP, полученных жидкофазной эпитаксией, что при­во­дит к рос­ту их структурного совершенства. При оптимальном количестве Yb и Al в расплаве кон­цен­тра­ция электронов в слоях InP уменьшается, а их подвижность возрастает. Разработанная технология мо­жет быть использована для изготовления структур для диодов Ганна, фотоприемников и других оп­то­элек­трон­ных приборов.

Опубліковано
2010-06-28
Як цитувати
Вакив, Н. М., Круковский, С. И., Заячук, Д. М., Михащук, Ю. С., & Круковский, Р. С. (2010). Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 50-53. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.50
Номер
№ 3 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2010 Вакив Н. М., Круковский С. И., Заячук Д. М., Михащук Ю. С, Круковский Р. С.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.