Конденсаторы на основе интеркалата GaSe<KNO3>

  • З. Д. Ковалюк Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
  • Д. Ю. Коноплянко Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
  • В. В. Нетяга Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
  • А. П. Бахтинов Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
Ключові слова: интеркаляция, полупроводник А3В6, сегнетоэлектрик, конденсатор

Анотація

Способом интеркалирования слоистого монокристалла GaSe в расплаве сегнетоэлектрической со­ли KNO3 получено соединение GaSe<KNO3>. Проведен рентгеновский анализ структуры и из­ме­ре­ны диэлектрические частотные характеристики образцов. Установлено, что в исследуемых об­раз­цах наблюдается накопление электрических зарядов в области частот 100—1000 Гц. На основе по­лу­чен­но­го соединения изготовлен образец фильтрового конденсатора.

Опубліковано
2010-06-28
Як цитувати
Ковалюк, З. Д., Коноплянко, Д. Ю., Нетяга, В. В., & Бахтинов, А. П. (2010). Конденсаторы на основе интеркалата GaSe<KNO3&gt;. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 6-8. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.3.06
Номер
№ 3 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2010 Ковалюк З. Д., Коноплянко Д. Ю., Нетяга В. В., Бахтинов А. П.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.