Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур

Анотація

Предложена конструкция ртутного микрозонда для измерения электрофизических ха­рак­те­рис­тик полупроводниковых материалов и ДП-, МДП-структур с локальностью 5—25 мкм. Ис­сле­до­ва­ны локальные электрофизические свойства технологических структур Si–SiO₂ со сверх­тон­ким слоем оксида в области электрически активных дефектов на поверхности кремния. По­ка­за­но влияние механических напряжений вблизи края электродов МДП-структур на ло­каль­ные зна­че­ния фиксированного заряда в оксиде.