Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами

Анотація

На основе экспериментальных данных за­ви­си­мос­ти вы­ход­но­го фо­то­то­ка от ин­тен­сив­нос­ти воз­буж­да­ю­ще­го све­то­во­го по­то­ка в ши­ро­ком ин­тер­ва­ле ра­бо­чих на­пря­же­ний про­из­ве­де­на оцен­ка ко­эф­фи­ци­ен­та фо­то­элек­три­чес­ко­го уси­ле­ния по то­ку двух­барь­ер­ной фо­то­ди­од­ной Ag–NGaAs–nGaInAs–Ag-струк­ту­ры. Уве­ли­че­ние ко­эф­фи­ци­ен­та уси­ле­ния с рос­том на­пря­же­ния объяс­не­но фо­то­ге­не­ра­ци­он­ны­ми про­цес­са­ми в рас­ши­ря­е­мом слое объем­но­го за­ря­да. Та­кие струк­ту­ры об­ла­да­ют свой­ством уси­ли­те­ля и пред­став­ля­ют ин­те­рес для соз­да­ния ус­тройств при­е­ма оп­ти­чес­ких сиг­на­лов.