Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы

  • A. A. Дружинин Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • И. И. Марьямова Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • А. П. Кутраков Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • Н. С. Лях-Кагуй Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • В. Т. Маслюк Институт электронной физики НАНУ, Ужгород, Украина
  • И. Г. Мегела Институт электронной физики НАНУ, Ужгород, Украина
Ключові слова: кремний, тензорезистор, электронное облучение

Анотація

Изучено влияние облучения электронами высоких энергий на характеристики по­лу­про­вод­ни­ко­вых тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа, легированных бором. Об­лу­че­ние тензорезисторов проводилось при комнатной температуре электронами с энер­ги­ей 4,2—14 МэВ дозами 5·1016—1·1018эл/см2. Измерения основных параметров облученных тен­зо­ре­зис­то­ров — сопротивления, его температурной зависимости и зависимости из­ме­нения сопротивления от деформации — проводились в различных температурных диа­па­зо­нах: –196…+100°C и –269…+20°C. Определены значения энергии и дозы электронов, при которых обеспечивается радиационная стойкость тензорезисторов.

Опубліковано
2010-02-26
Як цитувати
ДружининA. A., Марьямова, И. И., Кутраков, А. П., Лях-Кагуй, Н. С., Маслюк, В. Т., & Мегела, И. Г. (2010). Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 26-29. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.26
Номер
№ 1 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2010 Дружинин А. А., Марьямова И. И., Кутраков А. П., Лях-Кагуй Н. С., Маслюк В. Т., Мегела И. Г.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.