Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • О. А. Аб­дул­ха­ев Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Ф. А. Гиясова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Ж. Т. Назаров Навоийский государственный горный институт, Узбекистан
Ключові слова: эффект усиления тока, фототранзистор, база, барьер, режим модуляции

Анотація

Даны краткие сведения о созданной фо­то­тран­зис­тор­ной nGaAs–рGaAs–Ag-струк­ту­ре. Про­ана­ли­зи­ро­ва­ны про­цес­сы фо­то­ге­не­ра­ции но­си­те­лей в ба­зе и в об­лас­тях объем­но­го за­ря­да по­лу­про­вод­ни­ко­во­го и ме­тал­ло­по­лу­про­вод­ни­ко­во­го пе­ре­хо­да в за­ви­си­мос­ти от ре­жи­ма вклю­че­ния. По­ка­за­на мно­го­функ­ци­о­наль­ность пред­ло­жен­ной го­мо­пе­ре­ход­ной струк­ту­ры, пер­спек­тив­ной для соз­да­ния как при­ем­ни­ка, так и транс­фор­ма­то­ра оп­ти­чес­ких сиг­на­лов.

Опубліковано
2009-12-28
Як цитувати
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., Аб­дул­ха­евО. А., Гиясова, Ф. А., & Назаров, Ж. Т. (2009). Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-струк­ту­ра. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 31-34. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.6.31
Номер
№ 6 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2009 Ка­ри­мов А. В., Ёд­го­ро­ва Д. М., Аб­дул­ха­ев О. А., Гия­со­ва Ф. А., На­за­ров Ж. Т.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.