Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

  • Н. С. Болтовец Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • А. Г. Борисенко Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • В. Н. Иванов Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • О. А. Федорович Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • В. А. Кривуца Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • Б. П. Полозов Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
Ключові слова: p–i–n-диод, карбид кремния 4НSiC, травление ионно-плазменное, травление кремния, мезаструктура, чип диода

Анотація

Пред­став­ле­ны ре­зуль­та­ты ис­сле­до­ва­ния и оп­ти­ми­за­ции про­цес­са фор­ми­ро­ва­ния ме­за­струк­тур 4НSiC p–i–n-ди­о­дов на про­мыш­лен­ной тех­но­ло­ги­че­ской ба­зе. Ис­сле­до­ва­ны вольт-ам­пер­ные ха­рак­те­ри­сти­ки и ха­рак­те­ри­сти­ки пе­ре­клю­че­ния p–i–n-ди­о­дов в ин­тер­ва­ле тем­пе­ра­ту­ры 25—500°С.

Опубліковано
2009-10-30
Як цитувати
Болтовец, Н. С., Борисенко, А. Г., Иванов, В. Н., Федорович, О. А., Кривуца, В. А., & Полозов, Б. П. (2009). Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 45-48. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.45
Номер
№ 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2009 Болтовец Н. С., Борисенко А. Г., Иванов В. Н., Федорович О. А., Кривуца В. А., Полозов Б. П.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.