Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Е. Н. Якубов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Ключові слова: p–n-переход, эпитаксия, подвижность, концентрация, температура

Анотація

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев
и технологии их выращивания

Опубліковано
2009-10-30
Як цитувати
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., & Якубов, Е. Н. (2009). Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 38-41. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.38
Номер
№ 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2009 Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Якубов Э. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.