Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
Анотація
Some aspects of measurement of I–V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I–V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p–n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use DU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.Рассмотрены особенности измерения вольт-амперных характеристик импульсных лавинно-пролетных диодов (ЛПД). Определены основные параметры ВАХ импульсных ЛПД: плотность критического тока, скачок напряжения на участке отрицательного дифференциального сопротивления, напряжение лавинного пробоя. Приведен способ определения температурного сопротивления участка «p–n-переход—корпус», необходимого для расчета режима работы ЛПД, показана возможность прогнозирования ранних отказов ЛПД.
Авторське право (c) 2009 Кудрик Я. Я.

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.