Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

  • Ю. Н. Бобренко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Н. В. Ярошенко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Г. И. Шереметова Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Т. В. Семикина Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Б. С. Атдаев Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: поверхностно-барьерные структуры, ультрафиолетовое излучение, фотоприемник, фоточувствительность, тонкие пленки

Анотація

По­лу­че­ны вы­со­ко­эф­фек­тив­ные фо­то­ди­о­ды на ос­но­ве ге­те­ро­пе­ре­хо­да р-Cu1,8S/n-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1–х/CdSe/Mo с ва­рьи­ру­е­мой тол­щи­ной внут­рен­не­го пе­ре­ход­но­го слоя. По­ка­за­но, что эф­фек­тив­ным ме­то­дом сни­же­ния чув­стви­тель­но­сти за гра­ни­цей УФ-об­лас­ти яв­ля­ет­ся пре­де­ль­ное уме­нь­ше­ние тол­щи­ны ва­ри­зон­но­го слоя.

Опубліковано
2009-10-30
Як цитувати
Бобренко, Ю. Н., Ярошенко, Н. В., Шереметова, Г. И., Семикина, Т. В., & Атдаев, Б. С. (2009). Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 29-31. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.5.29
Номер
№ 5 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2009 Бобренко Ю. Н., Ярошенко Н. В., Шереметова Г. И., Семикина Т. В., Атдаев Б. С.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.