Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

Анотація

По­ка­за­но, что вольт-фа­рад­ные ха­рак­те­рис­ти­ки, име­ю­щие уча­стки кру­то­го па­де­ния, в част­нос­ти вольт-фа­рад­ные ха­рак­те­ри­сти­ки тон­ко­пле­ноч­ных струк­тур GaAs, мо­гут быть из­ме­ре­ны при уме­рен­но ма­лых ам­пли­ту­дах пе­ре­мен­но­го на­пря­же­ния (по­ряд­ка 100 мВ) за счет про­ве­де­ния из­ме­ре­ний на двух раз­лич­ных ам­пли­ту­дах. Дан­ный вы­вод под­твер­ж­ден ре­зуль­та­та­ми чис­лен­но­го рас­че­та ка­жу­щей­ся ем­кос­ти эпи­так­си­а­ль­ных струк­тур GaAs.