Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием

  • С. П. Новосядлый Прикарпатский национальный университет имени Василия Стефаника, Ивано-Франковск, Украина
  • В. М. Вивчарук Прикарпатский национальный университет имени Василия Стефаника, Ивано-Франковск, Украина
Ключові слова: микроэлектроника, пористый кремний,, эпитаксия, изоляция

Анотація

Сверх­тон­кие функ­цио­наль­ные слои МОП-тран­зис­то­ров тре­бу­ют ка­чест­вен­ной изо­ля­ции ак­тив­ных эле­мен­тов. Пред­ло­жен но­вый ме­тод фор­ми­ро­ва­ния эпи­так­си­аль­ных струк­тур для тех­но­ло­гии «крем­ний-на-изо­ля­то­ре» на ос­но­ве по­рис­то­го крем­ния. Это по­зво­лит фор­ми­ро­вать три ви­да тран­зис­то­ров — би­по­ляр­ные, КМОП, ДМОП.

Опубліковано
2009-06-30
Як цитувати
Новосядлый, С. П., & Вивчарук, В. М. (2009). Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 35-39. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.3.35
Номер
№ 3 (2009): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2009 Новосядлый С. П., Вивчарук В. М.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.