Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

Анотація

В ра­бо­те экс­пе­ри­мен­таль­но по­ка­за­но, что ме­ха­низм то­ко­пе­ре­но­са че­рез p⁺GaAs–nGaAs–p⁺GaAs-струк­ту­ру оп­ре­де­ля­ет­ся ин­жек­ци­он­но-тун­нель­ным и ге­не­ра­ци­он­но-ре­ком­би­на­ци­он­ным ме­ха­низ­ма­ми. При мо­ду­ля­ции час­ти ба­зы, со­дер­жа­щей де­фек­ты, пре­ва­ли­ру­ет ин­жек­ци­он­но-тун­нель­ный ток, а при мо­ду­ля­ции час­ти ба­зы с мень­шей де­фект­но­стью оп­ре­де­ля­ю­щи­ми яв­ля­ют­ся ге­не­ра­ци­он­но-ре­ком­би­на­ци­он­ные то­ки. Та­кие струк­ту­ры пред­став­ля­ют ин­те­рес для соз­да­ния на их ос­но­ве ог­ра­ни­чи­те­лей на­пря­же­ния и элек­трон­ных пе­ре­клю­ча­те­лей.