The measurements of pulsed I–V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region

Abstract

Some aspects of measurement of I–V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I–V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p–n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use DU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated.Рас­смот­ре­ны осо­бен­но­сти из­ме­ре­ния вольт-ам­пер­ных ха­рак­те­рис­тик им­пуль­сных ла­вин­но-про­лет­ных ди­о­дов (ЛПД). Оп­ре­де­ле­ны ос­нов­ные па­ра­мет­ры ВАХ им­пульс­ных ЛПД: плот­ность кри­ти­че­ско­го то­ка, ска­чок на­пря­же­ния на уча­стке от­ри­ца­тель­но­го диф­фе­рен­ци­а­ль­но­го со­про­ти­вле­ния, на­пря­же­ние ла­вин­но­го про­боя. При­ве­ден спо­соб оп­ре­де­ле­ния тем­пе­ра­тур­но­го со­про­тив­ле­ния уча­ст­ка «p–n-пе­ре­ход—ко­р­пус», не­об­хо­ди­мо­го для рас­че­та ре­жи­ма ра­бо­ты ЛПД, по­ка­за­на воз­мож­ность про­г­но­зи­ро­ва­ния ран­них от­ка­зов ЛПД.