Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2021, № 1-2, с. 61-67.
DOI: 10.15222/TKEA2021.1-2.61
УДК 535.23:628.98:535.31:621.383.52:537.312.51:631.382
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
(українською мовою)
Кукурудзяк М. С.1, Добровольський Ю. Г.2
Україна, м. Чернівці, 1ЦКБ Ритм; 2Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича.
Представлено розрахунок і граничні вимоги для виробництва кремнієвих p–i–n-фотодіодів із підвищеною чутливістю, проведено узгодження теоретичних параметрів із реальними фотодіодами, виготовленими згідно з розрахунком. Описано особливості конструкції чотириелементного сегментного p–i–n-фотодіода з охоронним кільцем та технології, які дозволили створити прилад з імпульсною монохроматичною чутливістю 0,48 А/Вт.
Ключові слова: фотодіод, кремній, імпульсна чутливість.
Дата подання рукопису 26.03 2021
Використані джерела
-
Сенько В. І., Панасенко М. В., Сенько Є. В. та ін. Електроніка і мікросхемотехніка. Т. 4: Силова електроніка. Кн. 2. Київ, Каравела, 2013. 316 с.
-
Будтолаев А. К., Либерова Г. В., Хижняк В. И. Повышение чувствительности кремниевых p–i–n-фотодиодов к излучению с длиной волны 1,06 мкм. Прикладная физика, 2018, №5, с. 47–49.
-
Боровков П. М., Казарин Л. Н., Потапов А. В., Фролов Н. В. Четырехканальное ФПУ на основе квадрантного кремниевого фотодиода для координатных систем. Успехи прикладной физики, 2013, т. 1, №5, с. 621–624.
-
Сизов, Ф. Ф. Фотоэлектроника для систем видения в невидимых участках спектра. Киев, Академпериодика, 2008, 459 с.
-
Литвиненко В. Физика и технология полупроводниковых диодов: монография для специалистов обл. технологии пр-ва и эксплуатации полупроводник. приборов. Херсон, Вишемирський В. С., 2018, 183 с.
-
Зи С. Физика полупроводников. Кн.1, Москва, Мир, 1984, 456 с.
-
Нойкин Ю. М., Махно П. В. Физические основы оптической связи: электронное учебное пособие. Ростов-на-Дону, ЮФУ, 2011, 355 с.
-
Кукурудзяк М. С., Андрєєва О. П., Ліпка В. М. p–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм. Технологія і конструювання в електронній апаратурі, 2020, № 5–6, с. 16–19. https://doi.org/10.15222/TKEA2020.5-6.16
-
Якушенков Ю. Г. Основы теории расчета оптико-электронных приборов. Москва, Советское радио, 1971, 336 с.
-
Секен К., Томпсет М. Приборы с переносом заряда. Москва, Мир, 1978, с. 148.
-
Брук В. А., Гаршенин В. В., Курносов А. И. Производство полупроводниковых приборов, Москва, Высшая школа, 2006, 264 с.
-
Золочевский Ю.Б., Романов В.П., Соколов А.Ю. Исследование нейтрализации заряда подвижных ионов в области межфазовой границы диоксид кремния – кремний структуры Mо – SіO2 – Sі. Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. 2016, №6 (ч.4), с. 651–656.
-
Готра С. Ю. Технология электронной техники: учеб. пособие в 2 т. Изд-во Львовской политехники, 2010, т. 1, 884 с.
-
ГОСТ 17772-88. Приемники излучения. Полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определение характеристик.
-
Бараночников М. Приемники и детекторы излучений. Справочник. Москва, Издательство "ДМК Пресс", 2012.
-
Паспортные данные на ФД-125К. http://ckb-rhythm.narod.ru/tablpin.htm
-
Data Sheet S15137. https://www.hamamatsu.com/jp/en/product/optical-sensors/photodiodes/si-photodiodes/index.html
-
Data Sheet YAG-444-4. https://www.excelitas.com/product/yag-444-4-series-quadrant-photodiodes-si-pin-113mm
-
Data Sheet QP154-Q. https://www.first-sensor.com/en/products/optical-sensors/detectors/quadrant-pin-photodiodes-qp/
|