Главная
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2021, № 1-2, с. 61-67.
DOI: 10.15222/TKEA2021.1-2.61
УДК 535.23:628.98:535.31:621.383.52:537.312.51:631.382
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
(українською мовою)
Кукурудзяк М. С.1, Добровольський Ю. Г.2

Україна, м. Чернівці, 1ЦКБ Ритм; 2Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича.

Представлено розрахунок і граничні вимоги для виробництва кремнієвих p–i–n-фотодіодів із підвищеною чутливістю, проведено узгодження теоретичних параметрів із реальними фотодіодами, виготовленими згідно з розрахунком. Описано особливості конструкції чотириелементного сегментного p–i–n-фотодіода з охоронним кільцем та технології, які дозволили створити прилад з імпульсною монохроматичною чутливістю 0,48 А/Вт.

Ключові слова: фотодіод, кремній, імпульсна чутливість.

Дата подання рукопису 26.03 2021
Використані джерела
  1. Сенько В. І., Панасенко М. В., Сенько Є. В. та ін. Електроніка і мікросхемотехніка. Т. 4: Силова електроніка. Кн. 2. Київ, Каравела, 2013. 316 с.
  2. Будтолаев А. К., Либерова Г. В., Хижняк В. И. Повышение чувствительности кремниевых p–i–n-фотодиодов к излучению с длиной волны 1,06 мкм. Прикладная физика, 2018, №5, с. 47–49.
  3. Боровков П. М., Казарин Л. Н., Потапов А. В., Фролов Н. В. Четырехканальное ФПУ на основе квадрантного кремниевого фотодиода для координатных систем. Успехи прикладной физики, 2013, т. 1, №5, с. 621–624.
  4. Сизов, Ф. Ф. Фотоэлектроника для систем видения в невидимых участках спектра. Киев, Академпериодика, 2008, 459 с.
  5. Литвиненко В. Физика и технология полупроводниковых диодов: монография для специалистов обл. технологии пр-ва и эксплуатации полупроводник. приборов. Херсон, Вишемирський В. С., 2018, 183 с.
  6. Зи С. Физика полупроводников. Кн.1, Москва, Мир, 1984, 456 с.
  7. Нойкин Ю. М., Махно П. В. Физические основы оптической связи: электронное учебное пособие. Ростов-на-Дону, ЮФУ, 2011, 355 с.
  8. Кукурудзяк М. С., Андрєєва О. П., Ліпка В. М. p–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм. Технологія і конструювання в електронній апаратурі, 2020, № 5–6, с. 16–19. https://doi.org/10.15222/TKEA2020.5-6.16
  9. Якушенков Ю. Г. Основы теории расчета оптико-электронных приборов. Москва, Советское радио, 1971, 336 с.
  10. Секен К., Томпсет М. Приборы с переносом заряда. Москва, Мир, 1978, с. 148.
  11. Брук В. А., Гаршенин В. В., Курносов А. И. Производство полупроводниковых приборов, Москва, Высшая школа, 2006, 264 с.
  12. Золочевский Ю.Б., Романов В.П., Соколов А.Ю. Исследование нейтрализации заряда подвижных ионов в области межфазовой границы диоксид кремния – кремний структуры Mо – SіO2 – Sі. Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. 2016, №6 (ч.4), с. 651–656.
  13. Готра С. Ю. Технология электронной техники: учеб. пособие в 2 т. Изд-во Львовской политехники, 2010, т. 1, 884 с.
  14. ГОСТ 17772-88. Приемники излучения. Полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определение характеристик.
  15. Бараночников М. Приемники и детекторы излучений. Справочник. Москва, Издательство "ДМК Пресс", 2012.
  16. Паспортные данные на ФД-125К. http://ckb-rhythm.narod.ru/tablpin.htm
  17. Data Sheet S15137. https://www.hamamatsu.com/jp/en/product/optical-sensors/photodiodes/si-photodiodes/index.html
  18. Data Sheet YAG-444-4. https://www.excelitas.com/product/yag-444-4-series-quadrant-photodiodes-si-pin-113mm
  19. Data Sheet QP154-Q. https://www.first-sensor.com/en/products/optical-sensors/detectors/quadrant-pin-photodiodes-qp/