Главная
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2021, № 1-2, с. 33-38.
DOI: 10.15222/TKEA2021.1-2.33
УДК 621.315.592
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
(українською мовою)
Ковалюк Т. Т.1,2, Солован М. М.1, Мар’янчук П. Д.1

Україна, 1Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича; Czech Republic, 2Charles University in Prague.

Досліджено електричні та фотоелектричні властивості гетероструктур MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe, отриманих методом магнетронного осадження тонких плівок MoN та ITО на підкладки CdTe з різним типом провідності. Встановлено, що в обох випадках домінуючим механізмом струмопереносу при прямих зміщеннях є тунельно-рекомбінаційний. Показано, що кращі фотоелектричні параметри має гетероструктура MoN/p-CdTe, а саме: напруга холостого ходу Voc = 0,4 В, струм короткого замикання Isc = 24,6 мА/см2 за інтенсивності освітлення 80 мВт/см2.

Ключові слова: CdTe, нітрид молібдену, гетероперехід, тонка плівка, механізми струмопереносу.

Дата подання рукопису 01.12 2020
Використані джерела
  1. Green M.A., Hishikawa Y., Warta W. et al. Solar cell efficiency tables (version 50). Progress in Photovoltaics, 2017, vol. 25, iss. 7, p. 668–676. https://doi.org/10.1002/pip.2909
  2. Armani N., Ferrari C., Salviati G. et al. Defect-induced luminescence in high- resistivity high-purity undoped CdTe crystals. J. Phys.: Condens. Matter, 2002, vol. 14, iss. 48, p. 13203–13209. https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/369
  3. Krustoka J., Collanb H., Hjeltb K. et al. Photoluminescence from deep acceptor-deep donor complexes in CdTe. J. Luminesc, 1997, vol. 72–74, p.103–105. https://doi.org/10.1016/S0022-2313(97)00061-6
  4. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. ФТП, 1998, №32/1, c. 3–18.
  5. Jui-Chang C., Shuo-Lun T., Mao-Chieh C. Sputter-deposited Mo and reactively sputter-deposited Mo-N films as barrier layers against Cu diffusion. Thin Solid Films, 1999, vol. 346, iss. 1–2, p. 299–306. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)01728-3
  6. Hallett L., Charaev I., Agarwal A. et al. Superconducting MoN thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering for nanowire single-photon detectors. Superconductor Science and Technology, 2021, vol. 34, 035012. https://doi.org/10.1088/1361-6668/abda5f
  7. Solovan M.M., Maryanchuk P.D. Electrical and photoelectrical properties of MoN/n-Si surface-barrier structures. Radio physics and electronics, 2019, vol. 24, iss. 2, p. 49–56. https://doi.org/10.15407/rej2019.02.049
  8. Granqvist C.G., Hultaker A. Transparent and conducting ITO films: new developments and applications. Thin Solid Films, 2002, vol. 411, р. 1–5. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(02)00163-3.
  9. Solovan M.N., Mostovyi A.I., Brus V.V. et al. Effect of surface treatment on the quality of ohmic contacts to single-crystal p-CdTe. Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2017, vol. 11, no. 1, p. 276–279. https://doi.org/10.1134/S1027451017010347
  10. Solovan M.M., Gavaleshko N.M., Brus V.V. et al. Fabrication and investigation of photosensitive MoOx/n-CdTe heterojunctions. Semiconductor Science and Technology , 2016, vol. 31, no. 10, 105006. https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105006