УДК 537.312.5:621.383.52

Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра.

Добровольский Ю. Г., Рюхтин В. В., Шимановский А. Б.

Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением концентрации бора в легированной области до 6·10¹⁹ см^–3 и формированием резкого p—n-перехода с глубиной залегания до 0,2 мкм. Длительность наработки фотодиодов составляет 100000 ч.

Украина, г. Черновцы, ОАО "ЦКБ Ритм".