УДК 539.216.2.002—546.28 Особенности получения тонких пленок SiO2 методом быстрой термической обработки. Светличный А. М., Агеев О. А., Шляховой Д. А. Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О2–SiO2–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки. Россия, Таганрогский гос. радиотехнический ун-т. |