Главная

УДК 539.216.2.002—546.28

Особенности получения тонких пленок SiO2 методом быстрой термической обработки.

Светличный А. М., Агеев О. А., Шляховой Д. А.

Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О2–SiO2–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки.

Россия, Таганрогский гос. радиотехнический ун-т.