УДК 621.3.04.774.3:539.16.04

Новые методы повышения стойкости биполярных микросхем к воздействию проникающей радиации.

А. И. Белоус, С. А. Ефименко, Э. П. Калошкин,
И. Н. Карпов, В. Н. Пономарь, А. В. Прибыльский

Установлены две основные группы механизмов отказов ТТЛШ БИС в условиях воздействия гамма-излучения: образование радиационно-стимулированных каналов тока утечки между скрытыми n⁺-слоями отдельных компонентов БИС из-за наличия локальных дефектов (разрывов в слое охранного р⁺-кольца) и каналов тока утечки между коллектором и эмиттером отдельных транзисторов Шоттки из-за локальных смыканий эмиттерных областей транзистора с областью изолирующего диэлектрика. Предложен метод радиационно-термической отбраковки дефектных ИС с пониженной радиационной стойкостью. Выбраны оптимальные режимы обработки и восстановительного отжига, не ухудшающие надежностные характеристики ИС.

Республика Беларусь, г. Минск, НИКТП "БелМикроСистемы".