[1]
СеменовA.B., Козловский, А.А. і Пузиков, В.М. 2012. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si. Технологія та конструювання в електронній апаратурі. 5 (Жов 2012), 27-30.